Орлов Олег Михайлович (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. Пиксельная биполярная структура с сетчатой базой, согласно изобретению, содержит полупроводниковую подложку, в которой расположена область коллектора 1-го типа проводимости, на которой имеется электрод коллектора, в области коллектора расположена область базы, 2-го типа проводимости, в области базы расположена...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности работы ячейки памяти. Ячейка памяти для быстродействующего ЭСППЗУ с управляемым потенциалом подзатворной области, электрическая схема ячейки памяти содержит n(р)-МОП-транзистор, первый и второй диоды, конденсатор, числовую, адресную и разрядную шины, при этом катод (анод) первого диода соедине...

Изобретение относится к строительной технике, а именно к копровым установкам, предназначенным для сооружения свайных фундаментов с поверхности воды. Копровая установка содержит копры, включающие платформы с пневмоколесами и гидродомкратами, мачты с механизмами их наклона и выдвижения, молоты, плашкоут, состоящий из понтонов, объединенных между собой соединительными балками, обеспечивающими возмо...

Изобретение относится к мостостроению и может быть использовано в разборных мостах. Способ транспортировки и монтажа пролетного строения моста определяется конструкцией пролетного строения. Мобильное пролетное строение моста содержит проезжую часть, состоящую из продольных среднего главного блока и двух боковых консолей, каждая из которых выполнена с возможностью складывания к середине над проез...

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материа...

Изобретение относится к области нанесения тонких диэлектрических пленок для создания устройств микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов, в частности элементов энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества (FeRAM, ferroelectric random access memory) с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и...

Изобретение относится к области устройств энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости. В основе изобретения - ячейка сегнетоэлектрической памяти. Техническим результатом данного изобретения является создание ячейки сегнетоэлектрической памяти с упрощен...