МОЛНАР Майкл (US)

Изобретение может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, применяемого в микроэлектронике. При его получении поток отходящего газа из одного или нескольких реакторов Сименса подают в один или несколько реакторов с псевдоожиженным слоем. Поток отходящего газа из множества реакторов Сименса может быть подан непосредственно в один или несколько реакторов с псевдоожиженным слое...

Изобретение относится к энергетике. Представлена производственная установка для осаждения материала на несущую подложку и электрод для использования в такой производственной установке. Несущая подложка имеет первый конец и второй конец, находящиеся на расстоянии друг от друга. На каждом конце несущей подложки расположено контактное гнездо. Установка включает в себя корпус, который образует камер...

Изобретение относится к способу получения кремния. В способе используют подачу травильного газа около стенок реактора с псевдоожиженным слоем. Травильный газ состоит по существу из тетрахлорсилана. В этот процесс может быть интегрирован реактор Сименса таким образом, что отходящие из него газы используют в качестве исходного газа и/или травильного газа, которые подают в реактор с псевдоожиженным...