Тетерин Петр Евгеньевич (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области получения тонкопленочных слоев магнитных полупроводников, и может быть использовано при получении интегральных схем. Способ включает формирование на подложке тонкопленочного слоя EuSx путем осаждения в вакууме EuS и серы из разных мишеней и последующий вакуумный отжиг сформированной пленки при температуре, обе...

Изобретение относятся к получению тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе моносульфида самария, и может быть использовано для создания переключающих устройств. Способ изготовления тонких пленок стехиометрического моносульфида самария импульсным лазерным осаждением включает осаждение на подложке тонких пленок моносульфида самария в вакууме при комнатной температуре с использ...

Изобретение относится к области неразрушающего контроля и диагностики материалов и может быть использовано в тех областях науки и техники, где необходимо отслеживать состояние материалов без оказания тестового воздействия на них. Технический результат - обеспечение возможности контролировать внутреннее состояние материала, находящегося вне зоны электромагнитной волны, создаваемой излучающей анте...

Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе оксида европия(III), и может быть использовано для защиты функционального слоя EuO. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя Eu2O3 для полупроводниковой пленки, полученной на подложке, включает доокисление поверхностного слоя выращенной в сверхвысоковакуумной камере полупроводнико...