Касаткин С.И.

 Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации. Целью изобретения является уменьшение токов управления при тех же размерах магниторезистивной ячейки памяти, что приведет к увеличению плотности информации благодаря уменьшению размеров полупроводниковых схем управления, расположенных на той же подложке, уме...

 Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. Сущность: запоминающий элемент снабжен двумя низкорезистивными проводниками, например, из меди, расположенными соответственно между трехслойной полоской и первым защитным слоем и трехслойной полоской и вторым изолирующим слоем и разделенными между со...

 Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрии, датчиках перемещений, устройствах измерения постоянного и переменного магнитного поля. Сущность: магниторезистивный датчик, содержащий подложку, на которой последовательно расположены первая магнитная пленка, разделительная пленка, вторая магнитная пленка, проводниковый и защитный слои, отличающийся тем, чт...

 Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. Целью изобретения является уменьшение токов управления при тех же размерах магниторезистивной ячейки памяти, что приведет к увеличению плотности информации благодаря уменьшению размеров полупроводниковых схем управления, расположенных на той же подложке, уме...

 Изобретение относится к области элементов автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей запоминающего элемента. Поставленная цель достигается тем, что расположенный над полоской центральный проводник 9 нанесен относительно нее таким образом, чтобы магнитн...

 Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. Изобретение позволяет создавать логические элементы на базе спин-вентильных магниторезистивных структур для работы в тяжелых эксплуатационных условиях. Инвертор содержит кремниевую подложку. На подложке последовательно расположены первый изо...

 Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, датчиках перемещений, устройствах измерения постоянного и переменного магнитных полей. Техническим результатом изобретения является получение датчика с нечетной вольт-эрстедной характеристикой, не требующей постоянного смещения, с расширенным линейным участком и уменьшенным гистерезисом. Сущность: датчик, в...

 Использование в тонкопленочных многослойных магниторезистивных датчиках и головках считывания. Технический результат заключается в уменьшении влияния гистерезиса на результаты измерения магнитного поля многослойным магниторезистивным датчиком. Перед началом измерения воздействуют на магниточувствительные элементы магниторезистивного датчика вспомогательным импульсным магнитным полем. Магн...

 Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. Технический результат - создание тонкопленочного магнитного инвертора микронных размеров на базе спин-вентильных магниторезистивных структур с реально достигнутой величиной спин-вентильного магниторезистивного эффекта, изготовляемого по инте...

 Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитных полей, электрического тока. Техническим результатом изобретения является получение магниторезистивного датчика с уменьшенной величиной тока управления в проводнике, что улучшает такие основн...

 Изобретение относится к области элементов автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным элементам. Техническим результатом изобретения является создание магнитного нейрона на базе тонкопленочных анизотропных, спин-вентильных и спин-туннельных магниторезистивных (МР) структур, являющегося основой магнитного нейрочипа, содержащего большое число магнитных нейрон...