Пинов Ахсарбек Борисович (RU)

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. В кремниевом фотопреобразователе с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, содержащем n+-р (р+-n) переход на лицевой стороне, изотипный р-р+ (n-n+)...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, методом Чохральского. Способ включает подачу рабочего газа в камеру с последующей эвакуацией сформированного газового потока с парогазовой смесью, образованной над расплавом, расположенным в тигле, при этом рабочий газ подают в камеру снизу под тигель, а парогазовую смесь эвакуи...

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния. Способ включает приготовление парогазовой смеси (ПГС) из хлорсиланов и водорода в испарителе под давлением посредством барботажа водорода через слой хлорсиланов, водородное восстановление кремния на разогретых кремниевых стержнях в реакторе, низкотемпературную кон...

Изобретение относится к технологии получения кремния методом Чохральского для электронной техники и фотоэнергетики. Разогретый рабочий газ внутри камеры 3 направляют вверх параллельно вертикальной оси камеры 3 и, не проходя над расплавом 2, выводят через регулируемые клапаны 13, расположенные в верхней части боковой поверхности камеры 3, выше уровня тигля 8, при этом одновременно с основным газовы...