Ломасов Владимир Николаевич (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов, включающем создание полупроводниковой структуры, содержащей блокирующий p+N-переход, путем термодиффузии в кремний N...