Темпер Элла Моисеевна (RU)

Использование: для контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур. Сущность: заключается в том, что с помощью рентгеновской дифрактометрии при использовании скользящего первичного рентгеновского пучка получают ассиметричное отражение от кристаллографических плоскостей, которые составляют наибольший угол с поверхностью интерфейса подложка-эпитаксиальный слой, и...

Использование: для структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур. Сущность заключается в том, что осуществляют сканирование образца в условиях брэгговского отражения с использованием Ω-метода в пошаговом режиме рентгеновской дифрактометрии, при этом для многослойных гетероструктур AlGaN/GaN с нанометровыми слоями используют рентгеновскую однокристальную дифрактометрию мощностью...

Использование: для исследования нанометрических несовершенств монокристаллических полупроводниковых пластин и гетероструктур, а также диэлектрических подложек. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют измерение угла дифракции от исследуемой плоскости с помощью рентгеновской однокристальной дифрактометрии со скользящим квазипараллельным рентгеновским пучком с суммарной расходимост...