Дороговин Б.А.

 Использование: захоронение радиоактивных отходов. Сущность изобретения: устройство содержит металлический котейнер с радиоактивными отходами, выполненный из материала, поглощающего нейтронное и -излучение, и защитную оболочку, выполненную из кварца. Изобретение относится к захоронению радиоактивных отходов (РАО). Целью изобретения является повышение эффективности хранения РАО. Поставленна...

 Способ может быть использован в области выращивания монокристаллов. Сущность изобретения: способ включает гидротермальное выращивание путем перекристаллизации кварцевой шихты на затравочные пластины ZY-среза в вертикальном автоклаве. Новым в способе является то, что затравочные пластины в камере кристаллизации располагают кристаллографической осью X вдоль вертикальной оси сосуда вверх гра...

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов лантангаллиевого силиката, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Шихту лангасита синтезируют твердофазным синтезом, помещают в иридиевый тигель, установленный в тепловой узел ростовой установки "Кристалл-3М". В контакт с поверхностью расплава вводится вращающийся затравочный кристалл, ор...

 Изобретение относится к получению шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского. Задачей изобретения является получение профилированных таблеток шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката и сокращение предварительных операций подготовки шихты. Взвешенные в расчетном стехиометрическом соотношении исходные компоненты - оксид лантана,...

 Изобретение относится к получению лантангаллиевого силиката, применяемого для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Техническим результатом изобретения является совмещение процессов наплавления, затравливания и роста в одном технологическом цикле при выращивании лантангаллиев...

 Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) поликристаллической шихт...

 Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение поликристаллической шихты в компактном виде, в форме профилированных таблеток для выращивания мон...

 Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины. Технический результат - повышение точности ориентации отрезаемых пластин относительно кристаллографических осей, улучшение плоскостности с целью получения высококачественных полуфабрикатов подложек для акустоэлектроники, оптики и полупроводн...

 Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и объемных акустических волнах (ОАВ). Сущность изобретения: в качестве монокристалла для изготовления дисков в устройствах на ПАВ используют монокристалл лантанголлиевого ниобата или лантангаллиевого танталата с диаметром 86-110 мм в направлении термостабильно...

 Изобретение может быть использовано при изготовлении электропаяльников для пайки микросхем. В качестве нагревателя использован монокристалл синтетического полупроводникового алмаза с размером ребра куба до 1 мм. В качестве одного токоввода использована токопроводящая поверхность металлического наконечника. Упомянутая поверхность припаяна к одной стороне монокристалла. Другой токоввод расп...

 Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: монокристаллы кварца выращивают гидротермальным методом из щелочных растворов п...

 Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков. Сущность изобретения: выращивание кристаллического кварца осуществляют в гидротермальных условиях из натрийсоде...

 Изобретение относится к технологии выращивания металлортофосфатов, в частности AlPO4 и GaPO4, которые могут быть использованы в пьезотехнике, а именно в резонаторах и фильтрах различного назначения. Изобретение позволяет получать крупноразмерные кристаллы ортофосфатов металлов, свободные от дефектов. Сущность изобретения: способ включает эпитаксию на кварцевую затравку базисной ориентации...

 Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике. Сущность изобретения: в способе выращивания кристаллов синтетического кварца гидротермальным методом, включающем перекристаллизацию кварцевой ш...

 Использование: указанные кристаллы благодаря высокому двулучепреломлению широко применяются в качестве материала для поляризаторов света, лучеразводящих элементов, быстродействующих лазерных затворов и в других оптических устройствах. Сущность изобретения: монокристаллы оптического кальцита получают гидротермальным методом, включающим нагрев и перекристаллизацию карбоната кальция на затра...

 Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca3Ga2Ge4O14). Сущность изобретения: в способе твердофазного синтеза проводят смешивание предварительно прошедших термообработку оксидов элементов, входящих в состав выращива...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления нелинейных полупроводниковых резисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Способ изготовления нелинейного полупроводникового резистора в стеклянном корпусе включает крепление на противоположных торцах кристалла металлических выводов, площадь поперечного сечения которых больше...

 Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Сущность изобретения: в способе, включающем выращивание кристаллов цинк...

 Изобретение относится к области выращивания в гидротермальных условиях методом температурного перепада кварца и его разновидностей, использующихся в ювелирной промышленности в качестве полудрагоценных камней. Сущность изобретения: в способе выращивания цветных разновидностей кристаллов кварца гидротермальным методом, включающем ввод автоклава в ростовой режим, осуществляя его нагрев при у...