Труханов Алексей Валентинович (BY)

Изобретение относится к области металлургии, в частности к полупроводниковым ферримагнитным материалам. Заявлен полупроводниковый ферримагнитный материал. Материал характеризуется постоянством величины намагниченности насыщения при изменении индукции магнитного поля и включает железо, галлий и магний, представляет собой гомогенный раствор оксидов железа, галлия и магния и отвечает формуле Mg(Fe1-...

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов, обеспечивающее снижение температуры синтеза и повышение коэрцитивной силы по намагниченности изделий из гексаферрита стронция больше 235 кА/м. Проводят мокрое измельче...

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов в производстве гексаферрита стронция, что обеспечивает повышение коэрцитивной силы по намагниченности гексаферрита стронция больше 235 кА/м за счёт снижения температуры...

Изобретение относится к области электротехники, а именно к конструкции многослойного экрана для защиты от электромагнитных полей в широком диапазоне частот, и может быть использовано для обеспечения электромагнитной совместимости блоков в комплексах электронной аппаратуры. Многослойный электромагнитный экран содержит чередующиеся электропроводящие слои меди и магнитные слои из сплава никель-железа...

Изобретение относится к области материалов для использования в магнитосенсорных и магнитометрических устройствах, устройствах записи-считывания информации. Многослойные магниторезистивные нанопроволоки состоят из чередующихся ферромагнитных и медных слоев, при этом в качестве ферромагнитных слоев используются слои никель-железо с толщинами 10-30 нм, а толщины медных слоев – 2-5 нм и суммарное коли...

Изобретение относится к получению магнитно-диэлектрических материалов, поглощающих электромагнитное излучение, и может быть использовано в радиоэлектронной технике при производстве принимающих антенн, осуществляющих селективное радиопоглощение в субтерагерцовом диапазоне (0,09-0,1 ТГц). Материал получают путем синтезирования замещенного гексаферрита бария BaFe12-xAlxO19, где 0.5≤x≤2, из оксидов F...

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления фильтров для ИК-диапазона. Способ заключается в выращивании из смеси бинарных компонент ZnSe и ZnS кристаллического слитка твердого раствора с перепадом температуры между зонами испарения и кристаллизации. Слиток ZnSe1-xSx выращивают с варьируемым соотношением исходной смеси бинарных компонент ZnSe и ZnS от...