ШИЛЛИНГЕР Норберт (DE)

Изобретение относится к солнечным элементам и к новому использованию тетрахлорида кремния. Способ производства кремниевой пленки на поверхности субстрата методом осаждения паров, исходя из предшественника на основе кремния, заключается в том, что используемый предшественник представляет собой тетрахлорид кремния, покрытый субстрат очищают или текстурируют, затем диффундируют из газовой фазы или д...