Хайбуллин И.Б.

 (19)SU(11)1231818(13)A1(51)  МПК 6    C03C21/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА Изобретение относится к способам обработки стекла импульсным световым излучением, а именно к формированию на стекле микрорельефа з...

  Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: полированные пластины кремния закрепляют на неохлаждаемой дюралевой кассете. Ионную имплантацию проводят в вакуумной камере ионами кобальта с энергией 90 кэВ дозой 21017 см-2 и плотностью ионного тока более 40 мкА/см2 При этом получают слой с постоянной решетки 0,5365 нм толщиной около 60 нм....

 Использование: в технике магнитной и магнитнооптической записи. Сущность изобретения: способ получения тонкой дисперсной магнитной пленки (ТДМП) на полимерной подложке включает введение в подложку ионов магнитных элементов с применением ионно-лучевой имплантации. Особенность способа состоит в том, что имплантацию ионов магнитных элементов с энергией 5-500 кэВ дозой облучения, обеспечивающ...

 Изобретение относится к способам голографической записи и восстановлению волновых фронтов света и может быть применено для записи и хранения информации на полупроводниковых материалах (преимущественно на кремнии), особенно в случаях необходимости восстановления волновых фронтов света, несущих записанную информацию, в видимой и инфракрасной области (ИК) спектра. Задачей, на решение которой...

 Изобретение относится к технологии получения тонких композиционных слоев, представляющих из себя диэлектрик с внедренными в него коллоидами металла, и может быть использовано в устройствах нелинейной оптики. Практический интерес к рассматриваемым композитам обусловлен наблюдаемыми в них высокими значениями нелинейной восприимчивости третьего порядка при воздействии лазерными импульсами пи...

 Использование: изобретение относится к технологии получения тонких ( 0,1 мкм) магнитных пленок с применением метода имплантации ионов магнитных элементов в материал подложки и может быть использовано в микроэлектронике и информатике, в частности для изготовления магнитных и магнитооптических запоминающих сред. Технический результат изобретения заключается, во-первых, в улучшении магнитных...