Перевощиков В.А.

  М 102 23 1)лаГГ. 30а, 10,)1 -) t, 1)о! ((С 1 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАГОТОВОК РЕЗИНОВЫХ ФОРМОВАННЫХ ДЕТАЛЕИ Залп..>оно 29 октябри 1954 г. за М 4436/451823 в (> И:(Г«ТОВ.I< ИИЯ !(ItTJ!«Ii РЕ:)ИНОВЫХ Ормо!)Оин! Ix лсталей Ilil а!)т(ллага мый си(>< (>О, H тли Jlt(От изш i Tlli)l Гио< ба л.tlt;)T< и цели, и«зволяст сокр(пит(ирои!HO(cT...

 Радиолокатор со спектральной обработкой сигнала, содержащий источник стационарного шумоподобного сигнала, передающую антенну, направленный ответвитель, вход которого подключен к выходу источника стационарного шумоподобного сигнала, а первый выход - к передающей антенне, первую и вторую приемные антенны, первый и второй усилители, вход каждого из которых подключен к выходу соответствующей...

 Измеритель угловой координаты, содержащий последовательно соединенные источник стационарного сигнала, направленный ответвитель и передающую антенну, последовательно соединенные первую приемную антенну и первый усилитель, последовательно соединенные первый блок сложения и первый анализатор спектра и последовательно соединенные вторую приемную антенну, второй усилитель, второй блок сложения...

  Использование: в радиотехнике для поглощения электромагнитной энергии в СВЧ-диапазоне. Сущность изобретения: применение хитина, полученного, например, из панциря камчатского краба по методу Хакмана, в качестве радиопоглощающего материала в диапазоне СВЧ. Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к материалам, поглощающим радиоволны в диапазоне СВЧ. Целью изобретения является рас...

  Использование в электронной промышленности при изготовлении полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: после отрезания от слитка первой пластины с нее механическим и химическим полированием с обеих сторон удаляют нарушенный слой. На стороне, образованной при втором резе, путем царапания вдоль найденных кристаллографических направлений определяют направление с максимальной твердост...

 Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния по известной технологии, включающей резку слитка на пластины, химическое травление и химико-механическое полирование, на рабочей стороне пла...

 Относится к области приборостроения, в частности к сканирующей туннельной микроскопии, используемой для исследования поверхности проводящих веществ. Способ определения топографии поверхности вещества посредством сканирующего туннельного микроскопа заключается в том, что поверхность исследуемого вещества сканируют металлической иглой в режиме постоянного туннельного тока, для чего в каждой...

 Использование: для исследования поверхностных слоев вещества методами СВЧ и сканирующей туннельной спектроскопии. Сущность изобретения: в промежутке между проводящей иглой и поверхностью микрообъекта создают постоянное электрическое поле, регистрируют постоянный туннельный ток, управляют перемещением проводящей иглы над поверхностью микрообъекта и определяют рельеф поверхности микрообъект...

 Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке. Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для формирования мембран наносят защитное покрытие на поверхность кремния, производят вскрытие в защитном покрытии окон и формируют через окна на неработающей стороне подложки слой пористого кремния на заданную глубину пу...

 Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны. Сущность изобретения: способ включает электрохимическое формирование на одной из сторон подложек слоя пористого кремния, обработку подложек и...

 Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом заявляемого способа является повышение структурного совершенства кремниевых подложек за счет увеличения эффективности геттерирования и...