Шенгуров В.Г.

 Сущность изобретения: датчик содержит кремниевую подложку со сквозным отверстием, покрытым с рабочей стороны датчика мембраной из диоксида кремния. На мембране последовательно расположены пленочный нагреватель, слой диэлектрика, газочувствительный полупроводниковый слой, а также токопроводящие контакты к нагревателю и газочувствительному слою. Отверстие в подложке заполнено окисленным пор...

 Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: способ молекулярной эпитаксии включает изготовление из пластины монокристаллического легирования кремния источника заданной формы. Затем ведут нагревание источника путем пропускания через него электрического тока до температуры сублимации материала с рабочей стороны источника и эпитаксиальное наращивание на подложке легированного сл...

 Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния по известной технологии, включающей резку слитка на пластины, химическое травление и химико-механическое полирование, на рабочей стороне пла...

 Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке. Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для формирования мембран наносят защитное покрытие на поверхность кремния, производят вскрытие в защитном покрытии окон и формируют через окна на неработающей стороне подложки слой пористого кремния на заданную глубину пу...

 Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны. Сущность изобретения: способ включает электрохимическое формирование на одной из сторон подложек слоя пористого кремния, обработку подложек и...