Белов Ю.М.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к полупроводниковым изделиям для термоэлектрических устройств и термоэлектрическим устройствам и может быть использовано в термоэлектрических приборах, основанных на эффектах Пельтье и Зеебека. Полупроводниковое изделие, изготовленное из кристаллического материала типа AV BVI со слоистой структурой, имеющего плоскости спайности м...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, более конкретно к полупроводниковым изделиям из кристаллических материалов с определенной структурой, предназначенным для термоэлектрических устройств, основанных на эффектах. Пельтье и Зеебека, - термоэлектрических генераторов, охлаждающих и нагревательных устройств. В полупроводниковом изделии преимущественно для термоэлектрических устр...

 Изобретение относится к термоэлектрическим устройствам, основанным на эффектах Пельтье и Зеебека. Полупроводниковое изделие для термоэлектрического устройства изготовлено из кристаллического материала типа AVBVI со слоистой структурой, имеющей параллельное расположение слоев, и выполнено с противолежащими гранями, покрытыми электропроводными слоями и расположенными параллельно слоям крист...

 Использование: в областях, использующих полупроводниковые, в частности термоэлектрические, приборы, а именно в холодильных и нагревательных устройствах, в источниках электроэнергии и т.д. Сущность изобретения: полупроводниковые изделия выполнены составными, по меньшей мере, из двух частей, имеющих контактные и соединительные поверхности, соединенных промежуточными электропроводящими слоям...