Сахаров Юрий Владимирович (RU)

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве твердотельных газовых датчиков паров углеводородов. Сущность изобретения: в способе получения пористой пленки диоксида кремния нанометровой толщины пленка диоксида кремния модифицируется углеродом путем добавления графитовых дисков на кремниевую мишень во время магнетронного распыления...

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, более конкретно к полупроводниковым светодиодам. Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе диоксида кремния, включает подложку, нижний и верхний электроды, а также сформированные в процессе магнетронного распыления слои, образующие полупроводниковую гетероструктуру с р-n-переходом. Слой активной обла...

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора, выполненного на основе нитрида галлия, заключается в том, что на излучающую поверхность наносится пористый слой диоксида кремния с коэффициентом преломления ниже 1,47. Технический результат - увеличение в...