PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Анищенко Екатерина Валентиновна (RU)

Изобретатель Анищенко Екатерина Валентиновна (RU) является автором следующих патентов:

Транзистор на основе полупроводникового соединения

Транзистор на основе полупроводникового соединения

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости изготовления транзистора на основе полупроводникового соединения за счет перехода на металлизацию, не содержащую драгоценных металлов. Сущность изобретения: в транзисторе на основе полупроводникового соединения, выполненном из полупроводниковой пластины с канальным и контактным...

2442243

Транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления

Транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления

Изобретения относятся к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV, в частности к созданию транзистора на основе полупроводникового соединения, не содержащего драгоценных металлов и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение термостабильности параметров затвора, снижение величины...

2460172

Способ изготовления мдм-катода

Способ изготовления мдм-катода

Способ изготовления МДМ-катода предназначен для повышения плотности тока эмиссии и однородности ее распределения по поверхности. На подложку последовательно осаждается металлический нижний электрод на основе пленки молибдена, затем два слоя резистов, в которых формируется рисунок с помощью электронно-лучевой литографии, затем напыляется сплошная пленка молибдена. Наноострийная структура получает...

2521610

Сверхвысокочастотный транзистор

Сверхвысокочастотный транзистор

Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AIIIBV, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет увеличения термической стабильности параметров устройства. Сверхвысокочастотный транзистор, выполнен...

2540234

Монолитная интегральная схема на основе полупроводникового соединения

Монолитная интегральная схема на основе полупроводникового соединения

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений AIIIBV с более низкой себестоимостью изготовления за счет использования металлизации, в которой минимизировано содержание драгоценных металлов, по технологии, сов...

2601203