Анищенко Екатерина Валентиновна (RU)
Изобретатель Анищенко Екатерина Валентиновна (RU) является автором следующих патентов:
Транзистор на основе полупроводникового соединения
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости изготовления транзистора на основе полупроводникового соединения за счет перехода на металлизацию, не содержащую драгоценных металлов. Сущность изобретения: в транзисторе на основе полупроводникового соединения, выполненном из полупроводниковой пластины с канальным и контактным...
2442243Транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления
Изобретения относятся к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV, в частности к созданию транзистора на основе полупроводникового соединения, не содержащего драгоценных металлов и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение термостабильности параметров затвора, снижение величины...
2460172Способ изготовления мдм-катода
Способ изготовления МДМ-катода предназначен для повышения плотности тока эмиссии и однородности ее распределения по поверхности. На подложку последовательно осаждается металлический нижний электрод на основе пленки молибдена, затем два слоя резистов, в которых формируется рисунок с помощью электронно-лучевой литографии, затем напыляется сплошная пленка молибдена. Наноострийная структура получает...
2521610Сверхвысокочастотный транзистор
Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AIIIBV, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет увеличения термической стабильности параметров устройства. Сверхвысокочастотный транзистор, выполнен...
2540234Монолитная интегральная схема на основе полупроводникового соединения
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений AIIIBV с более низкой себестоимостью изготовления за счет использования металлизации, в которой минимизировано содержание драгоценных металлов, по технологии, сов...
2601203