САКАИ Акира (JP)
Изобретатель САКАИ Акира (JP) является автором следующих патентов:
Устройство жидкокристаллического дисплея
Изобретение предусматривает устройство ЖКД, которое имеет более высокую контрастность в широком угле обзора и которое можно легко производить с низкими затратами. Устройство включает первый слой двойного лучепреломления, который удовлетворяет условию Nz>0,9 и имеет медленную ось, лежащую в плоскости, ортогональную к оси поглощения первого поляризатора, первую четвертьволновую пластинку, котора...
2444034Жидкокристаллическое устройство формирования изображения
Изобретение предоставляет жидкокристаллическое устройство формирования изображения, которое обладает более высоким коэффициентом контрастности при большом угле обзора. Изобретение включает первый двулучепреломляющий слой (I), который имеет ось наименьшей скорости распространения света в плоскости, образующую угол около 45° с осью поглощения у первого поляризатора; второй двулучепреломляющий слой...
2445664Устройство жидкокристаллического дисплея
Изобретение относится к устройству жидкокристаллического дисплея и может быть использовано в дисплеях, в которых на отображаемые изображения смотрят при ношении поляризационных очков. Устройство жидкокристаллического дисплея содержит жидкокристаллическую ячейку; первый поляризационный элемент, размещенный на стороне видимой поверхности жидкокристаллической ячейки, второй поляризационный элемент,...
2450295Жидкокристаллический дисплей
Изобретение предоставляет жидкокристаллический дисплей, который может обладать как достаточным передним коэффициентом контрастности, так и передней яркостью белого. Изобретение является жидкокристаллическим дисплеем, включающим в себя: переднюю поляризационную пластину; жидкокристаллическую ячейку; заднюю поляризационную пластину и оптический элемент, обеспечивающий эффект поляризации, причем ком...
2451314Жидкокристаллическое дисплейное устройство
Изобретение относится к дисплейному устройству. Жидкокристаллическое дисплейное устройство включает в себя двуосную замедляющую пленку дисперсионного типа с обратной дисперсией длины волны, имеющую R0(B)/R0(G) и Rth(B)/Rth(G) не больше чем 0,965, и R0(R)/R0(G) и Rth(R)/Rth(G) не меньше чем 1,015; и жидкокристаллическую ячейку с вертикальной ориентацией молекул, которая имеет слои голубого, зелено...
2456651Жидкокристаллическое устройство формирования изображения
Изобретение предоставляет жидкокристаллическое устройство формирования изображения. Устройство включает в следующем порядке: первый поляризатор; первую четвертьволновую пластину (nx>ny≥nz); жидкокристаллическую ячейку; вторую четвертьволновую пластину, имеющую по существу такой же коэффициент Nz, как у первой четвертьволновой пластины; двулучепреломляющий слой (II) (nx<ny≤nz); второй поляри...
2460107Жидкокристаллическое дисплейное устройство
Устройство содержит первую подложку, расположенную на стороне смотрящего, и вторую подложку; жидкокристаллический слой из твист-нематических жидких кристаллов, который расположен между первой и второй подложками, угол скручивания которых в направлении толщины между первой и второй подложками составляет по существу 90°; первую и вторую поляризационные пластины; и двухосную фазовую пластину, котора...
2472195Устройство жидкокристаллического дисплея
Устройство включает в себя первый поляризатор; первый двулучепреломляющий слой (II) (nx<ny≤nz); первую четвертьволновую пластину; жидкокристаллическую ячейку; вторую четвертьволновую пластину; второй двулучепреломляющий слой (II) и второй поляризатор, а также по меньшей мере один двулучепреломляющий слой (III). Первая четвертьволновая пластина имеет ось наименьшей скорости распространения свет...
2473942Термоэлектрический материал, способ его получения и модуль для термоэлектрического преобразования с использованием этого материала
Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии. Сущность: термоэлектрический материал содержит полупроводниковую подложку, полупроводниковую оксидную пленку, образованную на полупроводниковой подложке, и термоэлектрический слой, выполненный на полупроводниковой оксидной пленке. Полупроводниковая оксидная пленка имеет образованное в ней первое наноотверстие, термоэлект...
2561659