Аникеичев Александр Владимирович (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании как полупроводниковых материалов, так и полупроводниковых приборов, созданных на их основе. Изобретение обеспечивает расширение области применения за счет получения возможности измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с неизвестными значениями параметров и повышение точност...

Использование: для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Сущность: заключается в том, что осуществляют зондирование исследуемого образца излучением с энергией фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны, модуляцию концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике, измерение параметров зондирующего излучения, пропущенного через образец или отраженного им...