Костромин С.В.

 Изобретение относится к термической обработке углеродистых сталей. Предложен способ лазерно-термической обработки углеродистых сталей путем предварительного объемного нагрева стали и последующего нагрева поверхностного слоя лазерным излучением до температуры аустенитного состояния, в котором предварительный объемный нагрев стали производят до температуры в интервале 75-90oC. Способ позвол...

 Использование: изобретение относится к технологии многокомпонентных полупроводниковых материалов и касается управления процессом нанесения эпитаксиальных полупроводниковых структур на подложку в установке корпускулярного осаждения. Сущность изобретения: способ предусматривает регулирование температуры осаждения и избытка одного из исходных компонентов корпускулярного пучка. Предварительно...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии конструирования полупроводниковых датчиков ультрафиолетового излучения (УФИ). Технический результат изобретения - повышение селективности измерений УФИ в C-диапазоне и расширение арсенала используемых для этой цели средств. Сущность: датчик содержит подложку, слой полупроводника, чувствительного к УФИ, и элект...

 Изобретение относится к микроэлектронике и касается конструкции изготовления малоинерционного микроэлектронного источника ИК излучения. Сущность: устройство содержит кремниевую подложку и прикрепленный к ней электролюминесцентный элемент, выполненный из кремнийсодержащего материала и снабженный токоподводящими контактами и электрически изолированный от подложки с помощью пассивирующего по...