Шамирян Денис Георгиевич (RU)

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии. Сущность изобретения: состав газовой смеси для формирования нитрид танталового затвора в плазме характеризуется тем, что плазма возбуждается в газовой смеси, содержащей трихлорид бора и кислород. Техническим результатом изобретения является исключение бокового подтравливания...