ЧЖУ Сяочунь (US)

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП). Технический результат - повышение пределов рабочих режимов считывания и записи в устройстве STT-MRAM и снижение тока записи, требуемого для хранения значений данных в устройстве STT-MRAM. Устройство включает в себя тракт (102) считывания, соединенный со структурой МТП, и тракт (104) запи...

Настоящее изобретение относится к созданию магнитной оперативной памяти. Согласно изобретению предложен способ для выравнивания магнитной пленки во время ее осаждения. Способ включает в себя прикладывание первого магнитного поля вдоль первого направления в области, в которой находится подложка во время осаждения первого магнитного материала на подложку, причем магнитная пленка содержит первый маг...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного программирования одноразрядной ячейки. Способ формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке, в котором применяют программирующее напряжение к первому магнитному туннельному переходу (МТП, MTJ) одноразрядной ячейки без применения программирующего напряжения ко второму МТП...