ГУ Шицюнь (US)

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП). Технический результат - повышение пределов рабочих режимов считывания и записи в устройстве STT-MRAM и снижение тока записи, требуемого для хранения значений данных в устройстве STT-MRAM. Устройство включает в себя тракт (102) считывания, соединенный со структурой МТП, и тракт (104) запи...

Изобретение относится к многослойным интегральным схемам, в которых обеспечено рассеивание тепла от проблемных тепловых областей. Сущность изобретения: трехмерное устройство интегральной схемы содержит первый кристалл, уложенный с образованием слоистой структуры на второй кристалл, причем каждый из кристаллов имеет сконструированные в нем элементы, и кристаллы соединены друг с другом множеством м...

Изобретение относится к системам и способам для обеспечения защиты от электростатического разряда в трехмерных многоуровневых интегральных схемах. Сущность изобретения: устройство трехмерной (3-D) многоуровневой интегральной схемы содержит первый и второй полупроводниковые кристаллы, наложенные друг на друга, множество сквозных переходных отверстий, сформированных, чтобы проходить, по существу, м...

Изобретение может быть использовано в автономных оперативно запоминающех устройствах (RAM) либо может быть интегрировано или встроено в устройства, которые используют RAM, такие как микропроцессоры, микроконтроллеры, специализированные интегральные схемы (ASIC), системы на одном кристалле (SoC) и другие аналогичные устройства. В изобретении раскрыто запоминающее устройство, включающее в себя ячей...

Изобретение относится к многоуровневым интегральным схемам, более точно к системам и методам активного терморегулирования в многоуровневых интегральных схемах. Сущность изобретения: в устройстве интегральной схемы, содержащем уровень с активными схемами и термоэлектрическим устройством, термоэлектрическое устройство сформировано внутри сквозных соединений в слое упомянутого уровня и облегчает теп...

Изобретение относится к способам для рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). Путем заполнения воздушного промежутка между слоями многослойного ИС устройства проводящим тепло материалом тепло, генерируемое в одной или более областях внутри одного из слоев, может быть рассеяно в поперечном направлении. Поперечное рассеивание тепла может проходить вдоль всей длины слоя, а про...