Бисярин Николай Николаевич (RU)
Изобретатель Бисярин Николай Николаевич (RU) является автором следующих патентов:
![Спектрометр подвижности ионов Спектрометр подвижности ионов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c56dc5cae26687bc09e68d0dbdbc5b72.jpg)
Спектрометр подвижности ионов
Изобретение относится к области газового анализа и может использоваться для определения микропримесей различных веществ в газах. Технический результат - повышение разрешающей способности спектрометра. Спектрометр подвижности ионов содержит реакционную камеру (1), дрейфовый электрод (2) и детектор ионов (3). Реакционная камера (1) снабжена входным портом (4) для ввода анализируемого вещества в сме...
2455725![Способ определения атомного состава активных нанопримесей в жидкостях Способ определения атомного состава активных нанопримесей в жидкостях](/img/empty.gif)
Способ определения атомного состава активных нанопримесей в жидкостях
Изобретение относится к области нано-, микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано в разработке технологии и в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и для диагностики и контроля жидких технологических сред. Способ определения атомного состава активных примесей в жидких средах заключается в подготовке анализируемого...
2534246![Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий](/img/empty.gif)
Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени травления. В способе определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводн...
2535228