Татаренков Александр Федорович (RU)

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением подготовленной пластины в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого веще...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использ...