PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Мизеров Михаил Николаевич (RU)

Изобретатель Мизеров Михаил Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ полирования полупроводниковых материалов

Способ полирования полупроводниковых материалов

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников. Изобретение обеспечивает высокое качество полированной поверхности. Сущность изобретения: в способе химико-механического полирования полупроводниковых материалов, включающем воздействие на обрабатываемую поверхность механической нагрузки и полирующей компози...

2457574

Способ определения неоднородностей в полупроводниковом материале

Способ определения неоднородностей в полупроводниковом материале

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: в способе определения неоднородностей в полупроводниковом материале, включающем анодное оксидирование поверхности твердого тела из полупроводникового материала в во...

2461091

Способ изготовления полупроводниковой структуры с p-n переходами

Способ изготовления полупроводниковой структуры с p-n переходами

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным структурам, используемым, в частности, в фотоэлектрических преобразователях. Способ изготовления полупроводниковой структуры включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом эпитаксиального выращивания слоев n-типа проводимости и p-типа проводимости, образующих не менее двух сопря...

2461093

Способ оказания релаксирующего воздействия на функциональное состояние человека световым излучением от светодиодного источника

Способ оказания релаксирующего воздействия на функциональное состояние человека световым излучением от светодиодного источника

Изобретение относится к области медицины и может быть использовано для изменения функционального состояния человека. Осуществляют воздействие белым светом с цветовой температурой 1700 К или 10000 К, на открытые глаза человека при освещенности 200 лк на уровне глаз. Регистрируют электроэнцефалограмму, проводят ее спектральный анализ. При возрастании спектральной мощности альфа-ритм...

2514727

Способ оценки воздействия на функциональное состояние головного мозга человека светового излучения

Способ оценки воздействия на функциональное состояние головного мозга человека светового излучения

Изобретение к области медицины и может быть использовано для оценки воздействия на функциональное состояние коры головного мозга человека светового излучения от светодиодного источника. Воздействие осуществляют на открытые глаза человека белым светом с цветовой температурой 1700-10000 K, освещенностью на уровне глаз 80-300 лк. Регистрируют электроэнцефалограмму, проводят ее спектральный анализ....

2515150


Способ оказания активирующего воздействия на функциональное состояние человека световым излучением от светодиодного источника

Способ оказания активирующего воздействия на функциональное состояние человека световым излучением от светодиодного источника

Изобретение относится к области медицины и может быть использовано в профессиональной патологии. Воздействие белым светом, варьируемым по цветовой температуре в диапазоне 1700 К - 10000 К, осуществляют на открытые глаза человека. Регистрируют электроэнцефалограмму, проводят ее спектральный анализ и по снижению спектральной мощности альфа- и тета-ритмов более чем на 25% от фоновых значений оценив...

2517367

Способ получения антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением

Способ получения антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, применяемым в производстве полупроводниковых приборов. В способе изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, включающем выращивание антимонида галлия методом эпитаксии на подложке из антимонида галлия, при этом процесс...

2623832