ДЭВИД Орельен Дж. Ф. (US)

Светоизлучающий прибор содержит полупроводниковую структуру на основе нитрида элемента III группы, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; и текстурированную поверхность, расположенную внутри 1000 Å светоизлучающего слоя. Также предложен второй вариант, согласно которому светоизлучающий прибор содержит маскирующий слой с множеством отверстий; структ...

Светоизлучающее устройство включает полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа, и фотонный кристалл, сформированный внутри или на поверхности полупроводниковой структуры, керамический слой, который расположен на пути света, излучаемого светоизлучающим слоем. Керамический слой состоит из преобразующего длину волны материала,...

Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединенный к области p-типа; материал, расположенный между по меньшей мере частью отражательного металлического...

Изобретение относится к оптоэлектронике. Согласно изобретению поверхности в структуре светоизлучающего прибора, на которой выращивают слой с ослабленными механическими напряжениями, придают такую форму, чтобы обеспечить возможность разрастания слоя с ослабленными механическими напряжениями в горизонтальном направлении и чтобы в нем могла происходить, по меньшей мере, частичная релаксация механич...