ФОН КЕНЕЛЬ Ганс (CH)
Изобретатель ФОН КЕНЕЛЬ Ганс (CH) является автором следующих патентов:
Способ и установка для эпитаксиального выращивания полупроводников типа iii-v, устройство генерации низкотемпературной плазмы высокой плотности, эпитаксиальный слой нитрида металла, эпитаксиальная гетероструктура нитрида металла и полупроводник
Изобретение относится к установкам и способам эпитаксиального выращивания монокристаллов осаждением из паровой или газовой фазы. Сущность изобретения: вакуумная установка для эпитаксиального выращивания полупроводников типа III-V содержит вакуумную камеру, в которой поддерживается давление от приблизительно 10-3 мбар до 1 мбар во время эпитаксиального выращивания, размещенный в вакуумной камере п...
2462786