PatentDB.ru — поиск по патентным документам

МОРИ Томохико (JP)

Изобретатель МОРИ Томохико (JP) является автором следующих патентов:

Схема преобразования сигнала и устройство жидкокристаллического дисплея с множеством основных цветов, содержащее схему

Схема преобразования сигнала и устройство жидкокристаллического дисплея с множеством основных цветов, содержащее схему

Настоящее изобретение относится к устройству жидкокристаллического дисплея, а более точно к устройству жидкокристаллического дисплея с множеством основных цветов. Технический результат заключается в повышении качества изображения. Предложенная схема преобразования сигнала используется в устройстве жидкокристаллического дисплея с множеством основных цветов (в особенности, устройстве жидкокристалли...

2463671

Жидкокристаллический дисплей

Жидкокристаллический дисплей

Жидкокристаллическое устройство (100А) согласно настоящему изобретению есть первый и второй элементы (Р1 и Р2) изображения. Каждый из первого и второго элементов (Р1 и Р2) изображения включает в себя первый, второй и третий подэлементы (R, G, и В) изображения. Когда входной сигнал указывает, что каждый элемент изображения должен отображать первый цвет, то значения яркости соответствующих третьих...

2479000

Жидкокристаллическое устройство отображения

Жидкокристаллическое устройство отображения

Изобретение относится к устройствам отображения. Техническим результатом является повышение характеристики угла обзора, а также минимизация цветового сдвига при боковом просмотре экрана дисплея. Результат достигается тем, что жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя пикселы (Р1) и (Р2), каждый из которых включает в себя три подпиксела (R1, G1, В1) и (R2, G2, В2). Если входной...

2483362

Переключающий элемент и способ изготовления переключающего элемента

Переключающий элемент и способ изготовления переключающего элемента

Переключающий элемент включает в себя полупроводниковую подложку, которая включает в себя первый слой полупроводника n-типа, базовый слой р-типа, образованный эпитаксиальным слоем, и второй слой полупроводника n-типа, отделенный от первого слоя полупроводника n-типа базовым слоем, изолирующую пленку затвора, которая покрывает зону, перекрывающую поверхность первого слоя полупроводника n-типа, пове...

2665798