Долгих С.И.

 (19)SU(11)1105075(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/205(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ Изобретение относится к технологии получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы, в частности, может быть исп...

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: при изготовлении кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией элементов проводят двустороннюю механическую обработку исходной монокристаллической и опорной кремниевых пластин, формируют в исходной монокристаллической кремниевой пластине рельеф и скрытый слой...

  Использование: в машиностроении для диагностики и отбраковки подшипников по вибрации и шуму. Сущность: устройство содержит упруго закрепленную оправку для установки вала с испытуемым подшипником. Приводом для вращения наружного кольца является вращающеееся или пульсирующее электрическое поле, генерированное электрической обмоткой статора, охватывающего испытуемый подшипник. Оправка смонт...

  Использование: в подшипниковой отрасли промышленности для диагностики и отбраковки шарикоподшипников по вибрации и шуму. Сущность: устройство содержит упруго закрепленную оправку для установки наружного кольца испытуемого подшипника, основание, которое может вращаться вокруг определенной оси и фиксироваться в любом положении, блок управления частотой для изменения скорости вращения внутр...