Ес Такада[JP]

 Изобретение относится к оптоэлектронике и направлено на повышение качества преобразования энергии. Многопереходное полупроводниковое устройство, содержащее слой типа p, слой типа n из аморфного полупроводника или из аморфного полупроводника, включающего микрокристаллы и слой, блокирующий диффузию, расположенный между слоем типа p и слоем типа n толщиной от 5 до предпочтительно от 10 до...