Минори Ямагути[JP]

 Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для преобразования солнечной энергии. Сущность: термостойкий тонкопленочный фотоэлектрический преобразователь содержит p - i - n-структуру, электрод и слой блокирования диффузии, расположенный между полупроводником и по крайней мере одним электродом. Блокирующий слой формируют толщиной путем нанесения на n-слой кремния сло...

 Изобретение относится к оптоэлектронике и направлено на повышение качества преобразования энергии. Многопереходное полупроводниковое устройство, содержащее слой типа p, слой типа n из аморфного полупроводника или из аморфного полупроводника, включающего микрокристаллы и слой, блокирующий диффузию, расположенный между слоем типа p и слоем типа n толщиной от 5 до предпочтительно от 10 до...