Агрич Юрий Владимирович[RU]

 Использование: способы изготовления КМОП ИС, применяемых в микроэлектронике. Сущность изобретения: на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости с карманами второго типа проводимости формируют изолирующий диэлектрик из термической двуокиси кремния, вскрывают одновременно все области истоков, стоков и разделительные области МОП транзисторов обоих типов, выращивают на...