Галушков А.И.

 Использование: предлагаемый элемент может найти применение для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправляемых схемах. Сущность изобретения: магниточувствительный биполярный транзистор представляет собой элемент, выполненный на полупроводниковой пластине и содержащий две о...

 Использование: для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправляемых схемах. Сущность изобретения: интегральный элемент Холла представляет собой структуру, выполненную на полупроводниковой пластине первого типа проводимости, содержащей диффузионную область второго типа прово...

 Использование: полупроводниковые магниточувствительные устройства, в частности измерение магнитных полей в виде дискретного датчика или в качестве чувствительного элемента в составе интегральных магнитоуправляемых схем. Сущность изобретения: двухстоковый МОП магнитотранзистор представляет собой структуру, выполненную на полупроводниковой пластине первого типа проводимости, содержащей дифф...

 Использование: полупроводниковые магниточувствительные устройства, может быть применено для измерения магнитных полей в виде дискретного датчика или в качестве чувствительного элемента в составе интегральных магнитоуправляемых схем. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины выходного сигнала при нулевом магнитном поле. Сущность изобретения: сенсор вектора магнитного...

 Использование: для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправляемых схемах. Сущность изобретения: магниточувствительный биполярный транзистор содержит сформированный на полупроводниковой пластине первого типа проводимости эпитаксиальный слой второго типа проводимости с двум...

 Использование: в устройствах для контроля качества структуры ферромагнитных материалов и изделий по результатам взаимодействия их с магнитными полями. Сущность: интегральная магниточувствительная матрица изготавливается по интегральной технологии микросхем, в виде кристалла кремния, содержащего магниточувствительные ячейки, из интегральных магнитотранзисторов, расположенные в матрицу разм...