Гельгафт Юрий Мойсеевич[LV]

 Изобретение относится к получению полупроводников. Устройство для выращивания монокристаллов кремния содержит плавильную камеру с колпаком и поддоном, тигель, систему охлаждения, нагреватель, магнитную систему. Плавильная камера снабжена сменной средней частью, выполненной в виде ступенчатого цилиндра с охлаждаемой рубашкой, установленной между поддоном и колпаком. Наружная поверхность ру...