Лобов И.Е.

  (19) SU (и) 533157 Al (51) 5 Н01ЕИ 28 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) к лвтогскомх свидкткльству (21) 2184222/25 (22) 2?.10.75 (46) 30.1 0.93 Бал. Na 39-40 (?2) Булгаков С.С.; Велиара ГА; Ивановский ГФ.; Лобов И.Е; Майшев ЮП (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 533157 Изобрете...

 (19)SU(11)902603(13)A1(51)  МПК 6    G03C5/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИСПРАВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ФОТОШАБЛОНОВ Изобретение относится к способам исправления дефектов фотошаблонов и может быть использовано в производстве полупроводников при изготовлении эмульсионных фото...

 (19)SU(11)1047112(13)A1(51)  МПК 6    G03C7/28(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СОСТАВ ДЛЯ ОТБЕЛИВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, фотографии и может быть использовано при изготовлении эмульсионных фотошаблонов методом обогащения...

 (19)SU(11)1083809(13)A1(51)  МПК 6    G03C5/00, G03F1/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ МЕТОДОМ ОБРАЩЕНИЯ И СОСТАВЫ ДЛЯ ПРОЯВЛЕНИЯ И ЧЕРНЕНИЯ Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении эмульсионных...

 (19)SU(11)1176777(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/268(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП-БИС. Цель изобретения упрощение технологии и повышение точн...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления ИС на МДП-транзисторах. Целью изобретения является уменьшение разброса параметров МДП - БИС и увеличение процента выхода годных. Способ включает формирование МДП - структуры БИС и радиационную подгонку их пороговых напряжений. Последняя операция осуществляется путем облучения пластины со струк...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем. Цель изобретения повышение производительности способа, а также улучшение точности подгонки порогового напряжения и увеличение процента выхода годных изделий. Подгонка порогового напряжения Uo в способе осуществляется в два этапа, первый из которых осуществляют путем облу...

 Использование: для очистки поверхности разных материалов, таких как диэлектрики, полупроводники, металлы. Сущность изобретения: состав содержит воду и активную добавку. В качестве активной добавки введен сульфомалеиновый ангидрид, эффективное количество которого составляет 0,1 - 70 мас.%. Состав раствора для очистки поверхности нетоксичен, не представляет угрозы окружающей среде, намного...

 Изобретение относится к подготовке поверхности металлов к гальваническому покрытию, в частности к химическому удалению окалины с поверхности цветных металлов и их сплавов без отрицательного воздействия на окружающую среду, и может быть использовано в областях, где необходимы высококачественные поверхности. Состав для удаления окалины с поверхности цветных металлов и их сплавов содержит, м...