Кадушкин Владимир Иванович

 Использование: при изготовлении квантово-размерных полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ включает формирование квантово-размерных областей в процессе выращивания структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование производят посредством монохроматизации и фокусировки пучка атомов легирующей примеси с последующим направлением пучка атомов на дифракционный элемен...