Коротков М.Л.
Изобретатель Коротков М.Л. является автором следующих патентов:

Устройство осаждения слоев из газовой фазы
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: устройство содержит реакционный блок, включающий кварцевый реактор с излучателем, корпус с подложкодержателем, перегрузочную камеру, включающую механизм перегрузки и шлюзовую камеру с уплотняющей крышкой, герметичный кожух, охлаждаемый экран,...
2014670
Устройство осаждения слоев из газовой фазы
Использование: для термического отжига пластин в различных газовых средах, осаждение диэлектрических слоев и эпитаксиальных слоев кремния в технологии производства полупроводников и микроэлектронике. Сущность изобретения: устройство содержит кварцевый реактор с внешним излучателем и подложкодержателем в виде вертикально установленной воронки с гнездом на верхнем торце для размещения пласт...
2053585