Ох Хьюн Квон[KR]

 Использование: в микроэлектронике, при изготовлении МОП транзисторов с окисной изоляцией субмикронных размеров. Сущность изобретения: способ изготовления МОП транзисторов с окисной изоляцией включает формирование на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости, покрытой слоем окисла, многослойной структуры, состоящей по меньшей мере из одного слоя поликристаллического...