Никольский Юрий Анатольевич

 Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: магниторезистивный элемент изготовлен из монокристаллической пленки ZnSb n-типа проводимости, нанесенной на подложку из SiO2. Пленка содержит макронеоднородности, имеющие правильную геометрическую форму. Неоднородности являются включенями двухфазной системы InSb и in и расположены в поверхностном слое монокристаллической пленки....

 Использование: в измерительной технике. Сущность: датчик содержит тензорезистор, представляющий собой поликристаллическую пленку антимонида индия n-типа проводимости толщиной 1-5 мкм с концентрацией носителей заряда 1016 - 1017 см-3. Такие пленки обладают повышенной тензочувствительностью (S= 20-40), что связано с изменением потенциальных барьеров на границе кристаллитов. Кроме тензорезис...

 Сущность: фоторезистор выполнен на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке с низкоомными включениями двухфазной системы InSb-Jn p-типа проводимости, обеспечивающими при освещении белым светом освещенностью 2000 лк в диапазоне температур 77-340 К, при приложении напряжения 0,01-0,10 B уменьшение полного тока и возрастание сопротивления пленки. Изобретение относится...