PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Сухина Юрий Ефимович[UA]

Изобретатель Сухина Юрий Ефимович[UA] является автором следующих патентов:

Усилитель свч

Усилитель свч

  Использование: в радиоприемных устройствах в качестве входного малошумящего усилителя. Сущность изобретения: в охлаждаемом усилителе СВЧ, содержащем вакуумплотный корпус, заполненный осушенным инертным газом, размещен транзистор, установленный на поверхности теплового концентратора, нижняя поверхность которого контактирует с холодной гранью термоэлектрической батареи, входную и выходную...

2037952

Полупроводниковый прибор на эффекте ганна

Полупроводниковый прибор на эффекте ганна

 Использование: в электронной технике, а именно в полупроводниковых приборах на основе переноса электронов, например в приборах для генерирования СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: высокочастный прибор на эффекте Ганна содержит полупроводниковый материал n-типа проводимости со сформированными на нем полупроводниковыми слоями n-типа проводимости со стороны анодного контакта и n++-типа со...

2054213

Способ изготовления высокочастотного прибора на эффекте ганна с катодом с ограниченной инжекцией тока

Способ изготовления высокочастотного прибора на эффекте ганна с катодом с ограниченной инжекцией тока

 Использование: в электронной технике, в технологии производства полупроводниковых приборов, для производства высокоэффективных приборов на эффекте Ганна с катодом с ограниченной инжекцией тока. Сущность изобретения: матрицы окон формируют прямоугольной формы в защитном маскирующем слое, причем ось симметрии прямоугольного окна, параллельная большей стороне прямоугольника, совпадает с одни...

2061277

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

 Использование: электронная техника, в частности полупроводниковые приборы на основе переноса электронов для генерации СВЧ колебаний. Сущность изобретения: высокочастотный прибор содержит активный слой из полупроводникового материала GaAs N-типа проводимости, сформированных на нем со стороны анодного контакта слоя N+-типа проводимости и со стороны катодного контакта локальных областей слоя...

2062533

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

 Использование: в электронной технике. Сущность: прибор содержит полупроводниковый материал GaAs n-го типа проводимости, расположенные друг напротив друга анодный и катодный контакты, катодный контакт содержит области, инжектирующие ток, n+-го типа проводимости, окруженные областями, ограничивающими инжекцию тока, выполненными в виде обратносмещенного барьера Шоттки. Со стороны анодного ко...

2086051


Высокочастотный прибор на эффекте ганна

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

 Использование: в радиотехнической аппаратуре для генерирования СВЧ колебаний. Сущность изобретения: в высокочастотном приборе на эффекте Ганна область катода, инжектирующая ток, выполнена в виде локальных гетероинжекторов последовательно состоящих из металла с большей шириной запрещенной зоны, чем у материала n - GaAs, AlxGa1-xAs с постоянным значением параметра x, контактирующего, с одно...

2091911