Сухина Юрий Ефимович[UA]
Изобретатель Сухина Юрий Ефимович[UA] является автором следующих патентов:
Усилитель свч
Использование: в радиоприемных устройствах в качестве входного малошумящего усилителя. Сущность изобретения: в охлаждаемом усилителе СВЧ, содержащем вакуумплотный корпус, заполненный осушенным инертным газом, размещен транзистор, установленный на поверхности теплового концентратора, нижняя поверхность которого контактирует с холодной гранью термоэлектрической батареи, входную и выходную...
2037952Полупроводниковый прибор на эффекте ганна
Использование: в электронной технике, а именно в полупроводниковых приборах на основе переноса электронов, например в приборах для генерирования СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: высокочастный прибор на эффекте Ганна содержит полупроводниковый материал n-типа проводимости со сформированными на нем полупроводниковыми слоями n-типа проводимости со стороны анодного контакта и n++-типа со...
2054213Способ изготовления высокочастотного прибора на эффекте ганна с катодом с ограниченной инжекцией тока
Использование: в электронной технике, в технологии производства полупроводниковых приборов, для производства высокоэффективных приборов на эффекте Ганна с катодом с ограниченной инжекцией тока. Сущность изобретения: матрицы окон формируют прямоугольной формы в защитном маскирующем слое, причем ось симметрии прямоугольного окна, параллельная большей стороне прямоугольника, совпадает с одни...
2061277Высокочастотный прибор на эффекте ганна
Использование: электронная техника, в частности полупроводниковые приборы на основе переноса электронов для генерации СВЧ колебаний. Сущность изобретения: высокочастотный прибор содержит активный слой из полупроводникового материала GaAs N-типа проводимости, сформированных на нем со стороны анодного контакта слоя N+-типа проводимости и со стороны катодного контакта локальных областей слоя...
2062533Высокочастотный прибор на эффекте ганна
Использование: в электронной технике. Сущность: прибор содержит полупроводниковый материал GaAs n-го типа проводимости, расположенные друг напротив друга анодный и катодный контакты, катодный контакт содержит области, инжектирующие ток, n+-го типа проводимости, окруженные областями, ограничивающими инжекцию тока, выполненными в виде обратносмещенного барьера Шоттки. Со стороны анодного ко...
2086051Высокочастотный прибор на эффекте ганна
Использование: в радиотехнической аппаратуре для генерирования СВЧ колебаний. Сущность изобретения: в высокочастотном приборе на эффекте Ганна область катода, инжектирующая ток, выполнена в виде локальных гетероинжекторов последовательно состоящих из металла с большей шириной запрещенной зоны, чем у материала n - GaAs, AlxGa1-xAs с постоянным значением параметра x, контактирующего, с одно...
2091911