Земсков С.В.
Изобретатель Земсков С.В. является автором следующих патентов:
![Фтороксиды графита и способ их получения Фтороксиды графита и способ их получения](/img/empty.gif)
Фтороксиды графита и способ их получения
1. Фтороксиды графита общей формулы Cx Y (C2,2 O Z H2O) (CF), где x до 11,5; Y = 0,92 - 2,85; Z = 0,26 - 0,46, для пиротехнических составов. 2. Способ получения фтороксидов графита, отличающийся тем, что порошок графита обрабатывают хлоратом калия в количестве, превышающем массу графита в 2 - 10 раз, в среде жидкого фтороводорода в течение 48 - 96 ч. Изобретение относится к новым химич...
955654![Способ получения фторированного углерода Способ получения фторированного углерода](/img/empty.gif)
Способ получения фторированного углерода
Способ получения фторированного углерода, преимущественно для химических источников тока, заключающийся в обработке порошка углеродсодержащего материала жидким трифторидом брома, отличающийся тем, что, с целью повышения разрядного напряжения и энергоемкости источников тока, в качестве углеродсодержащего материала используют фтороксид графита и предварительно его подвергают термолизу при 2...
1061396![Способ локального нанесения покрытия на подложку Способ локального нанесения покрытия на подложку](/img/empty.gif)
Способ локального нанесения покрытия на подложку
Изобретение относится к области микроэлектроники. Цель - повышение адгезии покрытия и производительности процесса. Она достигается тем, что в способе локального нанесения покрытия на подложку из парогазовой фазы под действием лазерного излучения производят осаждение покрытия при атмосферном давлении, а облучение осуществляют последовательностью импульсов излучения наносекундного диапазона...
1331369![Фтористый углерод и способ его получения Фтористый углерод и способ его получения](/img/empty.gif)
Фтористый углерод и способ его получения
Изобретение относится к соединениям на основе фтористого углерода типа (CFx)n и к технологии их получения и может быть использовано преимущественно при изготовлении электродов химических источников тока (ХИТ). Цель - улучшение емкостных и разрядных характеристик ХИТ. Изобретением является фтористый углерод для электродов ХИТ, содержащий CF и CF2-группы в соотношении 2 - 4,5 : 1, при этом...
2054375![Способ получения иридиевых покрытий Способ получения иридиевых покрытий](/img/empty.gif)
Способ получения иридиевых покрытий
Изобретение относится к области химии, связанной с получением покрытий из тугоплавких металлов химической кристаллизацией из газовой фазы, в частности, для защиты конструкционных материалов от коррозии, и может быть использовано в области квантовой электроники, например для создания оптических элементов мощных лазеров. Способ получения иридиевых покрытий включает разложение на нагретой по...
2082821