Кравченко Александр Иванович[UA]

 Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов. Способ ведут методом Киропулоса под слоем флюса. Затравку приводят в соприкосновение с расплавом в поле с градиентом температуры, направленным от затравки в объем расплава. Толщину слоя расплава выбирают равной толщине подложки схемы. Перед достижением фронтом кристаллизации стенки тигля монокристалл извлекают во флюс...