Тупаев В.М.

 Изобретение относится к получению полупроводниковых монокристаллов. Устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава на затравку содержит камеру, размещенные в ней затравкодержатель с затравкой, узел отрыва выращенных кристаллов и узел их хранения, причем узел отрыва кристаллов выполнен в виде кулачка с выступами, число которых равно числу выращиваемых монокристаллов, привода...

 Использование: способ относится к металлургии, а именно к технологии полупроводниковых материалов, преимущественно для получения однородных сильнолегированных монокристаллов кремния с воспроизводимыми электрофизическими характеристиками. Сущность изобретения: способ включает многократный нагрев до (147050)K и охлаждение до (77050)K, которые проводят 4-5 раз. При этом обеспечивается снижен...