Мункуева С.Д.
Изобретатель Мункуева С.Д. является автором следующих патентов:

Кристалл двойного молибдата цинка в качестве сегнетоэластика
Использование: для управляемых функциональных устройств, в датчиках давления. Кристаллы двойного молибдата цинка имеют состав Tl4 Zn (MoO4)3. Температура фазового перехода 200oС, пространственная группа Pn 21a. 1 табл. Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано для создания управляемых функциональных устройств. Большинство сегнетоэластиков испытывает при определенн...
2054497