Зимин С.П.

 Использование: в технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: по способу изготовления i-области для повышения удельного сопротивления i-области при комнатной температуре проводят анодную электрохимическую обработку незащищенных учасков низкоомных кремниевых пластин в 48%-ном водном растворе плавиковой кислоты при плотности тока 10 - 60 мА/см2 в течение 10 - 60 мин. Изобрет...

 Использование: в области технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении различных интегральных датчиков и преобразователей, фото- и оптоэлектронных устройств, включающих слои пористого кремния и контакты алюминий-кремний. Сущность изобретения: на кремниевой подложке п-типа проводимости получают путем анодирования слой пористого кремния. Наносят поверх слоя пористого кремния слой...