Палашов В.Н.

 Использование: изготовление чувствительного элемента полупроводникового газового сенсора на основе пористого кремния. Сущность изобретения: при изготовлении чувствительного элемента на высокоомной кремниевой подложке с р-типом проводимости формируют пористый слой обработкой в НF-содержащем электролите, пористый слой промывают в кипящей деионизованной воде, сушат, проводят сухое травление...

 Использование: в технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: по способу изготовления i-области для повышения удельного сопротивления i-области при комнатной температуре проводят анодную электрохимическую обработку незащищенных учасков низкоомных кремниевых пластин в 48%-ном водном растворе плавиковой кислоты при плотности тока 10 - 60 мА/см2 в течение 10 - 60 мин. Изобрет...