Евстигнеев А.С.

  № 108126 Класс 8

 (19)SU(11)1153767(13)A1(51)  МПК 5    H01L29/70(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к биполярным мощным генераторным СВЧ-транзисторам. Известен СВЧ генераторный транзистор,...

 Сущность изобретения: устройство СВЧ-нагрева содержит твердотельный источник СВЧ-мощности, выполненный в виде автогенератора, блок регулировки уровня мощности и режима автогенератора, циркулятор, излучатель. Транзистор автогенератора выполнен в виде параллельно соединенных транзисторных кристаллов, разделен на секции, соединенные цепями подавления паразитных поперечных колебаний. Каждая с...

 Использование: в полупроводниковой электронике, конструкциях мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит транзисторные кристаллы с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом коллекторных или стоковых электродов транзисторных кристаллов, а также два вывода других электродов транзисторов, расположенные...

 Использование: в производстве корпусов СВЧ-приборов, например мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: многослойное металлическое покрытие корпуса СВЧ-прибора содержит последовательно расположенные слои никеля толщиной 0,8 - 2 мкм, нижний золота, палладия толщиной 0,5 - 1 мкм, верхний золота. Между нижним слоем золота и слоем палладия введен слой серебра. При этом нижний слой золота...

 Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит два ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий...

 Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор (варианты) содержит два параллельных ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стыковых электродов транзисторных структур, первом выводе тран...

 Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы т...