PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Евстигнеева Г.В.

Изобретатель Евстигнеева Г.В. является автором следующих патентов:

Устройство свч-нагрева

Устройство свч-нагрева

 Сущность изобретения: устройство СВЧ-нагрева содержит твердотельный источник СВЧ-мощности, выполненный в виде автогенератора, блок регулировки уровня мощности и режима автогенератора, циркулятор, излучатель. Транзистор автогенератора выполнен в виде параллельно соединенных транзисторных кристаллов, разделен на секции, соединенные цепями подавления паразитных поперечных колебаний. Каждая с...

2047283

Мощный свч-транзистор

Мощный свч-транзистор

 Использование: в полупроводниковой электронике, конструкциях мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит транзисторные кристаллы с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом коллекторных или стоковых электродов транзисторных кристаллов, а также два вывода других электродов транзисторов, расположенные...

2054750

Мощный свч-транзистор

Мощный свч-транзистор

 Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит два ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий...

2054754

Мощный свч-транзистор (варианты)

Мощный свч-транзистор (варианты)

 Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор (варианты) содержит два параллельных ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стыковых электродов транзисторных структур, первом выводе тран...

2054755

Мощный свч-транзистор (варианты)

Мощный свч-транзистор (варианты)

 Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы т...

2054756