Евстигнеева Г.В.
Изобретатель Евстигнеева Г.В. является автором следующих патентов:
Устройство свч-нагрева
Сущность изобретения: устройство СВЧ-нагрева содержит твердотельный источник СВЧ-мощности, выполненный в виде автогенератора, блок регулировки уровня мощности и режима автогенератора, циркулятор, излучатель. Транзистор автогенератора выполнен в виде параллельно соединенных транзисторных кристаллов, разделен на секции, соединенные цепями подавления паразитных поперечных колебаний. Каждая с...
2047283Мощный свч-транзистор
Использование: в полупроводниковой электронике, конструкциях мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит транзисторные кристаллы с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом коллекторных или стоковых электродов транзисторных кристаллов, а также два вывода других электродов транзисторов, расположенные...
2054750Мощный свч-транзистор
Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит два ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий...
2054754Мощный свч-транзистор (варианты)
Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор (варианты) содержит два параллельных ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стыковых электродов транзисторных структур, первом выводе тран...
2054755Мощный свч-транзистор (варианты)
Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы т...
2054756