Русаков Е.О.

 Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p - n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей п...

 Сущность изобретения: устройство СВЧ-нагрева содержит твердотельный источник СВЧ-мощности, выполненный в виде автогенератора, блок регулировки уровня мощности и режима автогенератора, циркулятор, излучатель. Транзистор автогенератора выполнен в виде параллельно соединенных транзисторных кристаллов, разделен на секции, соединенные цепями подавления паразитных поперечных колебаний. Каждая с...

 Использование: в производстве корпусов СВЧ-приборов, например мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: многослойное металлическое покрытие корпуса СВЧ-прибора содержит последовательно расположенные слои никеля толщиной 0,8 - 2 мкм, нижний золота, палладия толщиной 0,5 - 1 мкм, верхний золота. Между нижним слоем золота и слоем палладия введен слой серебра. При этом нижний слой золота...

 Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит два ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий...

 Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор (варианты) содержит два параллельных ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стыковых электродов транзисторных структур, первом выводе тран...

 Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы т...