Чунтонов К.А.

 1. Способ получения тетраиндида рубидия путем нагревания в вакууме смеси рубидия и индия до температуры, превышающей температуры ликвидуса, с последующей кристаллизацией охлаждением, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов, рубидий и индий в смеси берут в мольном соотношении 0,15 - 0,02 : 0,85 - 0,98, охлаждение ведут со скоростью 20 - 40 град/час, а полученный продукт пом...

 Способ получения цезия разложением его интерметаллидов при нагревании в вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения дозированных количеств цезия при сохранении его чистоты, процесс ведут с использованием в качестве интерметаллида монокристаллов CsJn4 в стеклянной ампуле при поддержании температуры холодного и горячего концов ее 20 и 505 - 515oС соответственно в течение 30 - 40 мин.

 Способ получения соединения Cs3Sb, включающий его синтез из цезия и сурьмы, смешиваемых в стехиометрическом соотношении, в тигле, помещенном в стальной контейнер при нагревании, кристаллизацию из расплава охлаждением и извлечение продукта, отличающийся тем, что, с целью получения продукта в виде монокристалла, синтез ведут в вакууме в тигле из молибдена при его периодическом подогреве от...

 Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия, включающий нагрев смеси исходных компонентов в вакуумированной ампуле и последующую кристаллизацию расплава, отличающийся тем, что, с целью возможности получения кристаллов CsIn3 увеличенных размеров, исходные компоненты берут при соотношении In и Cs в смеси в мольных долях 0,83 - 0,88 : 0,12 - 0,17, нагрев ведут в ампу...

 Способ получения цезия разложением в вакууме монокристаллов соединений цезия и индия при нагревании в ампуле с поддержанием перепада температур на холодном и горячем концах ее и при комнатной температуре холодного конца, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и увеличения выхода конечного продукта при сохранении его чистоты и повышения точности дозирования, процесс ведут с испо...

 Устройство получения паров цезия для изготовления фотоэлектронных приборов, содержащее источник цезия, помещенный в герметичную оболочку из токопроводящего материала, отличающееся тем, что, с целью повышения чистоты паров цезия и уменьшения газовыделения, источник цезия выполнен в виде соединения CsGa3, а оболочка содержит вакуум-плотную заглушку из галлия.

 1. Источник пара щелочного металла, содержащий капсулу, выполненную из токопроводящего материала в виде стакана, внутри которого размещены рабочее вещество из интерметаллического соединения щелочного металла с галлием и вакуумно-плотная заглушка из галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, заглушка выполнена толщиной 0,5 - 8,5 мм и размещена непосредственно на поверхнос...

 Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2}, где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с; R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте...

 Способ изготовления источника пара щелочного металла, включающий смешивание щелочного металла с галлием, гомогенизацию и плавление смеси в вакууме в открытой капсуле при температуре, превышающей температуру плавления интерметаллического соединения щелочного металла с галлием, кристаллизацию смеси и герметизацию капсулы с интерметаллическим соединением, отличающийся тем, что, с целью упрощ...

 Использование: производство фотоэлектронных электровакуумных приборов. Сущность изобретения: испаритель содержит источник сурьмы /рабочее вещество/ и металлический держатель. Фоточувствительность приборов, изготовленных с использованием предложенного источника паров сурьмы повышается в среднем на 10%, что обеспечивает повышение рабочих характеристик фотоэлектронных электровакуумных прибор...

 Использование: при изготовлении вакуумных фотоэмиссионных приборов. Сущность изобретения: генератор пара щелочных металлов содержит токопроводящую оболочку с интерметаллическим рабочим веществом в виде литых сферических гранул из галлидов щелочных металлов с защитным галлиевым покрытием. В качестве галлидов могут быть использованы Na22 Ga39 или AGa3, где A = K, Rb, Cs, при этом защитное г...